表面等离子体的研究方法

用来研究的表面等离子体效应的数值方法主要有以下几种：
1.时域有限差分方法（Finite Difference Time Domain ，简称FDTD）。FDTD方法是把 Maxwell方程式在时间和空间领域上进行差分化。利用蛙跳式(Leaf flog algorithm)--空间领域内的电场和磁场进行交替计算，通过时间领域上更新来模仿电磁场的变化，达到数值计算的目的。用该方法分析问题的时候要考虑研究对象的几何参数，材料参数，计算精度，计算复杂度，计算稳定性等多方面的问题。其优点是能够直接模拟场的分布，精度比较高，在成功地商业软件开发出来之后，FDTD是使用得比较多的数值模拟的方法之一。
2.严格耦合波方法（rigorous coupled-wave analysis ，简称RCWA）。该方法是分析光栅的有利工具，它是基于严格的矢量maxwell方程来分析的。由于在很多的表面等离子的结构中都会引入衍射光栅结构，所以RCWA方法也被越来越多的学者用来分析相关的问题，并且取得了不错的效果。
3.有限元方法（Finite Element Method，简称FEM）。该方法也是一种数值模拟方法，它采用简单的问题来近似复杂的问题，在有限元内取近似解逼近精确解。该方法分析的是一种近似结果，但是能解决很多的问题，在科学研究中的应用也比较广泛。
这方面的分析还有其他一些特殊的方法，主要是针对不同的结构，不同的材料二提出，在此就不一一列出。
由于表面等离子体器件的尺寸一般都处在亚波长量级，所以制作表面等离子体器件采用的基本是微纳加工的技术。主要技术如下：
1.电子束曝光技术：这一步是实现小尺寸器件制作的一个关键和核心的步骤，也可以采取全息等手段，但是效果不如电子束。但是电子束曝光不能制作大面积的器件，这是它的一个弱点。
2.金属剥离技术：制作金属光栅结构的核心步骤之一。在电子束曝光之后形成的图形上，采用金属剥离的技术能够制作出效果很好的金属微纳结构。这一技术相对比较成熟。
3。干法刻蚀技术：制作金属微纳孔结构可以采用该方法。干法刻蚀是利用等离子原理有选择地从芯片表面去除不需要的材料的过程。干法刻蚀主要包括等离子增强反应离子刻蚀、电子回旋共振刻蚀（ECR）、感应耦合等离子体刻蚀（ICP）等蚀刻技术。
还有其他的一些特殊工艺应用在整个实验与制作的过程中，像电子束蒸发，离子溅射等技术。

大气射频宽幅辉光等离子表面处理机

等离子清洗原理

     给气态物质更多的能量，比如加热，将会形成等离子体。当到达等离子状态时，气态分子裂变成了许许多多的高度活跃的粒子。这些裂变不是永久的，一旦用于形成等离子体的能量消失，各类粒子重新结合，形成原来的气体分子。与湿法清洗不同，等离子清洗的机理是依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用”达到去除物体表面污渍的目的。从目前各类清洗方法来看，等离子体清洗也是所有清洗方法中最为彻底的剥离式的清洗方式。

    等离子清洗一般是利用激光、微波、电晕放电、热电离、弧光放电等多种方式将气体激发成等离子状态。